Разработване на инструменти за симулация на транзистори MOSFET

Текст на разработка на инструменти за симулация на транзистори MOSFET

Университет на Сантяго де Компостела

разработване

Катедра по електроника и изчисления

РАЗВИТИЕ НА ИНСТРУМЕНТИ ЗА

СИМУЛИРАНЕ НА МОЗФЕТ транзистори

Представено от: Manuel Antonio Aldegunde Rodrguez

Режисьор: Антонио Хесус Гарса Лурейро

Сантяго де Компостела, март 2009 г.

Д-р Антонио Хесус Гарса Лурейро, доцент в Катедрата по електроника в Университета на Сантяго де Компостела

Докладът, озаглавен „Разработване на инструменти за симулация на MOSFET транзистори“, е изготвен от г-н Мануел Антонио Алдегунде Родгес под моето ръководство в Катедрата по електроника и изчисления на Университета в Сантяго де Компостела и представлява тезата, която той предлага да избере за степен доктор по физически науки.

Сантяго де Компостела, март 2009 г.

Подписано: Антонио Хесус Гарса Лурейро Директор на дисертацията

Подписано: Хавиер Даз Бругера Директор на Катедрата по електроника и изчисления

Подписано: Manuel Antonio Aldegunde Rodrguez Автор на дисертацията

На първо място, бих искал да изкажа своята благодарност на всички онези хора, които, въпреки че не го посочвам изрично в следващите параграфи, ми помогнаха да направя този спомен.

Моят режисьор Антонио Гарка Лурейро заслужава специални благодарности за постоянната му помощ и подкрепа през повече от четири години на разработване на тази теза. Без неговите усилия и отдаденост в най-трудните моменти нямаше да стигна дотук.

На всички членове на катедрата по електроника и изчисления, особено членовете на групата за компютърна архитектура, за това, че ми предоставиха необходимата подкрепа за извършване на тази работа. Без улесненията, които ми предостави този доклад, също нямаше да е възможно. На моите колеги (и бивши колеги), особено Оскар, Хави, Диего, Дани, Хулио, Хуан Анхел, Фаби, Маркос, Крис, Раул и Енрике, за това, че са прекарали толкова часове в лабораторията приятно. И на Наталия, за помощта от първия ден, за търпението, за радостта и за приятелството.

Също така трябва да благодаря на членовете на Групата за моделиране на устройства на Университета в Глазгоу за тяхната доброта и сътрудничество по време на престоя ми в Шотландия. Сред тях трябва да се спомене професор Асен Асенов за приноса му в развитието на тази докторска дисертация и Карол Кална за постоянната му помощ, идеите и обясненията му, особено в първите ми стъпки с метода Монте Карло.

На EPCC и особено на CESGA за предоставяне и улесняване на достъпа до техните компютърни ресурси. До министерствата на науката и технологиите и по-късно на образованието и науката за финансиране чрез проекти TIN2004-07797-C02 и TIN 2007-67537-C03 и чрез безвъзмездна помощ от университетската програма за обучение на учители. Към Xunta de Galicia за финансиране чрез проектите DXIDI07TIC01CT и INCITE08PXIB206094PR.

Разбира се, семейството ми, за постоянната им подкрепа и помощ. А на приятелите ми ме накарайте да се махна от работа.

И отново на всички хора, които не съм посочил, които ми позволиха да стигна тук.

Науката винаги ще бъде търсене, никога истинско откритие. Това е пътуване, никога пристигане.

Почвите ме плашат. Искаш да кажеш височини, каза Конина. И спри да бъдеш глупав, знам какво имам предвид! Почвите са тези, които те убиват!

Rechicero. Тери Пратчет

1. MOSFET устройства 9

1.1. Конвенционалният MOSFET, мащабиране и текущо състояние на технологията. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.2. Алтернативи на стандартните MOSFET транзистори. . . . . . . . . . . . . . . 121.2.1. Multiport MOSFETs. . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

1.2.2. Нови материали. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151.3. Симулационни техники. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17